金铠仪器

CVD反应装置
CVD反应装置
产品详情



装置概述

                                                                                   


本装置是CVD反应装置,拥有四个气路,两套独立的气路控制单元,加热炉安装在装置的侧面上下安装,精密的仪表控制加热炉炉温和气体流量,具有可靠性高,操作简便,结构紧凑的特点。该装置可用于化学沉积及与CVD特点相似的材料制备过程。





技术参数

                                                                                   


- 气路:1-4(任选);

- 加热炉:1-2(任选),加热炉温度Max:1000 ℃

- 气体质量流量器:0 - 500 mL/min(任选);

- 工作压力:常压;

- 温度控制:± 0.5 ℃;

- 计算机控制(任选)。




自由容器